陜西半導體先導技術中心成立于2017年5月，是在陜西省委省政府支持下，由西安電子科技大學、中國西電集團公司、西安高新區管委會三方共同組建，為適應國家產業發展戰略需求，按企業化運營模式而成立的共性企業研發平臺。

主要致力于加快半導體前沿關鍵技術研發創新，推動以先進半導體器件和第三代半導體為核心的產業創新，服務于中國先進半導體的技術創新和成果轉化。并建立半導體技術人才實習與培養的新一代體系，最終成為國家級半導體產業新技術和新工藝的推廣轉化基地。

發展歷程

技術方向

●  氮化鎵產品技術：進行GaN外延材料、GaN HEMT器件，微波功率器件，微波集成電路（MMIC）， GaN 太赫茲器件，光電二極管、光電探測器等器件開發與制造工藝。

●  碳化硅產品技術：SiC JBS、SiC SBD、 SiC MOSFET等產品設計與關鍵工藝。

●  先進硅器件技術：先進硅功率器件、電源管理芯片、高密度、多結構的立體集成技術研究；進行傳感器網絡、微系統集成等方向的技術探索；開展新結構、新器件和新技術的市場化工作。

●  超寬禁帶半導體技術：進行氧化鎵、金剛石半導體、石墨烯、AIN等化合物半導體、化合物集成電路等創新性科研成果的轉化。